Electronic Devices MCQ Quiz in हिन्दी - Objective Question with Answer for Electronic Devices - मुफ्त [PDF] डाउनलोड करें

Last updated on Jun 23, 2025

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Latest Electronic Devices MCQ Objective Questions

Electronic Devices Question 1:

एक सीलीकोन सेम्पल को बोरोन द्वारा डोप किये जाने पर जाने पर अपद्रव्य सांद्रता 1.5 × 1014 cm-3 की गयी। संपूर्ण आयनीकरण मानने पर सीलीकोन की आंतरीक प्रवाहक सांद्रता 1.5 × 1010 cm-3 हो तो इलेक्ट्रान की सांद्रता कितनी होगी?

  1. 1.0 × 106 cm-3
  2. 1.5 × 106 cm-3
  3. 1.5 × 1014 cm-3
  4. 1.5 × 1010 cm-3

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : 1.5 × 106 cm-3

Electronic Devices Question 1 Detailed Solution

Electronic Devices Question 2:

In MOSFET में डोप गेट पॉलीसिलिकॉन में जोड़ी गई अशुद्धता है।

  1. बोरॉन 
  2. सुरमा (एंटीमोनी)
  3. गैलियम
  4. कार्बन 

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : सुरमा (एंटीमोनी)

Electronic Devices Question 2 Detailed Solution

Electronic Devices Question 3:

जब एक BJT रैखिक क्षेत्र में कार्य कर रहा हो

  1. B-E जंक्शन अग्रदिशीक बायस्ड है और B C जंक्शन रिवर्स बायस्ड है 
  2. B-C जंक्शन अग्रदिशीक बायस्ड है और B-E जंक्शन रिवर्स बायस्ड है 
  3. दोनों जंक्शन अग्रदिशीक बायस्ड हैं
  4. दोनों जंक्शन रिवर्स बायस्ड हैं

Answer (Detailed Solution Below)

Option 1 : B-E जंक्शन अग्रदिशीक बायस्ड है और B C जंक्शन रिवर्स बायस्ड है 

Electronic Devices Question 3 Detailed Solution

Electronic Devices Question 4:

दो 'n' चैनल MOSFET संतृप्त क्षेत्र में इस तरह से निर्मित और बायस्ड हैं कि पहले वाले के लिए चौड़ाई के साथ-साथ VGS-VTH दूसरे की तुलना में दोगुना है। अन्य सभी पैरामीटर समान हैं। ट्रांजिस्टर की अपवाह धाराओं का अनुपात क्या है?

  1. 2 ∶ 1
  2. 4 ∶ 1
  3. 8 ∶ 1
  4. 16 ∶ 1

Answer (Detailed Solution Below)

Option 3 : 8 ∶ 1

Electronic Devices Question 4 Detailed Solution

Electronic Devices Question 5:

किसी द्विध्रुवीय अर्ध-चालक युक्ति के लिए प्रचालनशील आवृत्ति सीमा का कारण है

  1. संधि पराश्रय
  2. इलेक्ट्रॉन गतिशीलता
  3. (1) एवं (2) दोनों
  4. उपर्युक्त में से कोई नहीं

Answer (Detailed Solution Below)

Option 3 : (1) एवं (2) दोनों

Electronic Devices Question 5 Detailed Solution

Top Electronic Devices MCQ Objective Questions

P और Si के संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या क्रमशः ______ है।

  1. 3 और 4
  2. 5 और 4
  3. 4 और 4
  4. 4 और 5

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : 5 और 4

Electronic Devices Question 6 Detailed Solution

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Mistake Points

प्रश्न में संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या के बारे में पूछा जा रहा है, न कि परमाणु की संयोजकता के बारे में। चूंकि एक संयोजी इलेक्ट्रॉन बाहरी कोश इलेक्ट्रॉनों की संख्या है जो एक परमाणु से जुड़ा होता है, फॉस्फोरस में 5 और सिलिकॉन में 4 संयोजी इलेक्ट्रॉन होंगे।

सही उत्तर 5 और 4 है।

व्याख्या:

  • संयोजी इलेक्ट्रॉन एक बाहरी कोश इलेक्ट्रॉन है जो एक परमाणु से जुड़ा होता है।
  • ये इलेक्ट्रॉन एक रासायनिक आबंध के निर्माण में भाग ले सकते हैं।

Key Points

  • सिलिकॉन के पहले कोश में दो इलेक्ट्रान होते हैं, दूसरे कोश में आठ इलेक्ट्रान होते हैं और तीसरे कोश में चार (4) इलेक्ट्रान होते हैं।
  • चूँकि तीसरे कोश में इलेक्ट्रॉन सबसे बाहरी इलेक्ट्रॉन होते हैं, इसलिए सिलिकॉन में चार संयोजी इलेक्ट्रॉन होते हैं।
  • फॉस्फोरस परमाणु क्रमांक 15 के साथ एक पंचसंयोजक तत्त्व है, जिसका अर्थ है कि इसके सबसे बाहरी कोश में 5 संयोजीलेक्ट्रॉन होते हैं।

अर्धचालक में ____________ चालन बंध और __________ रासायनिक संयोजन बंध होते हैं।

  1. हलके रूप से भारित; मध्यम रूप से भारित
  2. लगभग भारित; मध्यम रूप से भारित
  3. लगभग खाली; लगभग भारित
  4. लगभग भारित; लगभग खाली

Answer (Detailed Solution Below)

Option 3 : लगभग खाली; लगभग भारित

Electronic Devices Question 7 Detailed Solution

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अर्धचालक के गुण:

  • अर्धचालक ऐसे पदार्थ हैं जिसमें चालक (सामान्यतौर पर धातु) और गैर-चालक या अवरोधक (सिरेमिक जैसे) के बीच एक चालकता होती है।
  • अर्धचालक गैलियम आर्सेनाइड जैसे यौगिक या जर्मेनियम या सिलिकॉन जैसे तत्व हो सकते हैं।
  • अर्धचालक में लगभग खाली चालन बंध और लगभग भरे हुए रासायनिक संयोजन बंध होते हैं।
  • अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता छिद्रों के गतिशीलता की तुलना में उच्च होती है।
  • इसकी प्रतिरोधक 10-5 से 106 Ωm के बीच है।
  • चालकता 10-5 से 10-6 mho/m के बीच है।
  • अर्धचालकों के लिए प्रतिरोध का तापमान गुणांक ऋणात्मक है।
  • अर्धचालक में धारा प्रवाह मुख्य रूप से इलेक्ट्रॉन और छिद्र के कारण होता है।

निम्नलिखित में से कौन-सा कथन अर्धचालक विभंग के संबंध में सत्य है?

  1. जेनर विभंग उस जंक्शन में होता है जो अति अपमिश्रित होता है और एवेलांश विभंग उस जंक्शन में होता है, जो अल्प अपमिश्रित होता है
  2. जेनर विभंग उस जंक्शन में होता है जो अल्प अपमिश्रित होता है
  3. एवेलांश विभंग उस जंक्शन में होता है, जो अति अपमिश्रित होता है
  4. इनमें से कोई नहीं

Answer (Detailed Solution Below)

Option 1 : जेनर विभंग उस जंक्शन में होता है जो अति अपमिश्रित होता है और एवेलांश विभंग उस जंक्शन में होता है, जो अल्प अपमिश्रित होता है

Electronic Devices Question 8 Detailed Solution

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  • एवेलांश विभंग वह घटना है जिसमें डायोड की रेटेड क्षमता से आगे मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या में वृद्धि होती है; इसके परिणामस्वरूप विपरीत अभिनत की स्थिति में डायोड के माध्यम से भारी धारा का प्रवाह होता है
  • एवेलांश विभंग अल्प अपमिश्रित डायोड में होता है
  • जेनर विभंग मुख्य रूप से उच्च विद्युतीय क्षेत्र के कारण होता है; जब उच्च विद्युत क्षेत्र को PN जंक्शन डायोड पर लागू किया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन PN - जंक्शन में प्रवाहित होना शुरू हो जाते हैं; साथ ही, विपरीत अभिनति में थोड़ी धारा विकसित होती है
  • जेनर विभंग अत्यंत अपमिश्रित डायोड में होता है

 

एवेलांश और जेनर विभंग के बीच महत्वपूर्ण अंतर:

एवेलांश विभंग

जेनर विभंग

अल्प अपमिश्रित डायोड

अत्यंत अपमिश्रित डायोड

उच्च विपरीत विभव

निम्न विपरीत विभव

जंक्शन विरूपित होता है

जंक्शन विरूपित नहीं होता है

एक कमजोर विद्युतीय क्षेत्र उत्पादित होता है

एक मजबूत विद्युतीय क्षेत्र उत्पादित होता है

उच्च विपरीत विभव पर होता है

निम्न विपरीत विभव पर होता हैं

______ में एक ट्रांजिस्टर बंद स्विच के रूप में कार्य करता है।

  1. विपरीत सक्रिय
  2. संतृप्ति क्षेत्र
  3. विच्छेद क्षेत्र
  4. सक्रिय क्षेत्र

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : संतृप्ति क्षेत्र

Electronic Devices Question 9 Detailed Solution

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ट्रांजिस्टर इस प्रकार कार्य कर सकता है

1) विद्युत धारा दर्पण में प्रतिरोधक

2) स्तर शिफ्टर में संधारित्र

3) संतृप्ति क्षेत्र में बंद या ON स्विच

4) विच्छेद और संतृप्ति क्षेत्र में इन्वर्टर

5) सक्रिय क्षेत्र में एम्प्लीफायर

मोड

 उत्सर्जक आधार अभिनती​

संग्राहक आधार अभिनती

अनुप्रयोग

विच्छेद

विपरीत 

विपरीत 

खुला या OFF स्विच

सक्रिय

अग्र

विपरीत 

एम्प्लीफायर

विपरीत सक्रिय

विपरीत 

अग्र

ज्यादा उपयोगी नहीं होता है

 संतृप्ति

अग्र

अग्र

बंद या ON स्विच

 

निकेल-लोहा सेल का धनात्मक प्लेट किसका बना होता है?

  1. निकेल हाइड्रोऑक्साइड
  2. लौह हाइड्रोऑक्साइड
  3. लेड प्रीऑक्साइड
  4. पोटैशियम हाइड्रोऑक्साइड

Answer (Detailed Solution Below)

Option 1 : निकेल हाइड्रोऑक्साइड

Electronic Devices Question 10 Detailed Solution

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निकेल-लोहा सेल:

  • निकेल-लोहा सेल आवेशित स्थिति में होता है, धनात्मक प्लेट पर सक्रीय पदार्थ Ni(OH)4 होता है और ऋणात्मक प्लेट पर लौह (Fe) होता है
  • धनात्मक और ऋणात्मक प्लेट को एक निकेल-आवृत्त इस्पात के पात्र में रखा जाता है; प्लेटों को कठोर रबड़ के स्ट्रिप द्वारा एक-दूसरे से पृथक किया जाता है
  • पात्र में KOH (विद्युत-अपघट्य) के विलयन का 21 प्रतिशत शामिल होता है जिसमें सेल की क्षमता को बढ़ाने के लिए लिथियम हाइड्रेट (LiOH) की छोटी मात्रा को मिलाया जाता है
  • इसमें लेड-अम्ल सेल की तुलना में कम वजन और लंबा जीवनकाल होता है
  • इस सेल का emf लगभग 1.36 V होता है
  • यह सेल पोर्टेबल कार्य के लिए बहुत उपयुक्त होते हैं

एक शुद्ध अर्धचालक में प्रतिरोध का तापमान गुणांक ___________ होता है।

  1. शून्य
  2. धनात्मक
  3. ऋणात्मक
  4. प्रतिरूप के आकार पर निर्भर

Answer (Detailed Solution Below)

Option 3 : ऋणात्मक

Electronic Devices Question 11 Detailed Solution

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विभिन्न पदार्थों के प्रतिरोध पर तापमान का प्रभाव:

चालक: जब चालकिय पदार्थ का तापमान बढ़ता है, तो उस विशिष्ट पदार्थ का प्रतिरोध बढ़ता है।

विद्युत् रोधक: जब चालकिय पदार्थ का तापमान बढ़ता है, तो उस विशिष्ट पदार्थ का प्रतिरोध कम होता है।

अर्धचालक: जब अर्ध-चालकिय पदार्थ का तापमान बढ़ता है, तो उस विशिष्ट पदार्थ का प्रतिरोध कम होता है।

एक पदार्थ के लिए ऋणात्मक गुणांक का अर्थ है कि इसका प्रतिरोध तापमान में वृद्धि के साथ कम होता है। इसलिए शुद्ध अर्धचालक पदार्थ में (सिलिकॉन और जर्मेनियम) विशेष रूप से प्रतिरोध का तापमान गुणांक ऋणात्मक होता है।

निम्नलिखित का मिलान कीजिए:

a) P-N जंक्शन डायोड

i)correction diagram 1

b) जेनर डायोड

ii) JULY 2018 PART 3 images Rishi D 2

c) स्कॉटकी डायोड 

iii) JULY 2018 PART 3 images Rishi D 3

d) टनल डायोड 

iv) JULY 2018 PART 3 images Rishi D 4

  1. a-iii, b-iv, c-ii, d-i
  2. a-iii, b-ii, c-i, d-iv
  3. a-i, b-ii, c-iii, d-iv
  4. a-ii, b-iii, c-iv, d-i

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : a-iii, b-ii, c-i, d-iv

Electronic Devices Question 12 Detailed Solution

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संकल्पना:

pn जंक्शन डायोड

जेनर डायोड

स्कॉटकी डायोड 

टनल डायोड

केवल एक दिशा में धारा के प्रवाह की अनुमति देता है 

दोनों दिशाओं में धारा के प्रवाह की अनुमति देता है 

केवल एक दिशा में धारा के प्रवाह की अनुमति देता है 

दोनों दिशाओं में धारा प्रवाह की अनुमति देता है

बहुत धीमी स्वीचिंग गति 

निम्न स्वीचिंग गति 

उच्च स्वीचिंग गति 

अत्युच्च स्वीचिंग गति

V - I विशेषता ऋणात्मक प्रतिरोध क्षेत्र को नहीं दर्शाती है

V - I विशेषता ऋणात्मक प्रतिरोध क्षेत्र को नहीं दर्शाती है

V - I विशेषता ऋणात्मक प्रतिरोध क्षेत्र को नहीं दर्शाती है

V - I विशेषता ऋणात्मक प्रतिरोध क्षेत्र को दर्शाती है

F1 S.B D.K 27.08.2019 D 1

F1 S.B D.K 27.08.2019 D 2

correction diagram 1

F1 S.B D.K 27.08.2019 D 4

संयोजकता इलेक्ट्रॉन क्या होते हैं?

  1. शिथिल संकुलित इलेक्ट्रॉन
  2. गतिशील इलेक्ट्रॉन
  3. बाह्यतम कोश में उपस्थित इलेक्ट्रॉन
  4. ऐसे इलेक्ट्रॉन जिन पर कोई आवेश नहीं होता हैं

Answer (Detailed Solution Below)

Option 3 : बाह्यतम कोश में उपस्थित इलेक्ट्रॉन

Electronic Devices Question 13 Detailed Solution

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सही उत्तर विकल्प [3] है
  • एक रासायनिक बंध बनाने के लिए एक तत्व के परमाणु की संयोजन क्षमता को इसकी संयोजकता कहा जाता है।
  • किसी परमाणु के बाह्यतम इलेक्ट्रॉन कोश को संयोजी कोश कहा जाता है।
  • किसी परमाणु के बाह्यतम कोश में उपस्थित इलेक्ट्रॉनों को संयोजी इलेक्ट्रॉन कहा जाता है।
  • एक परमाणु के संयोजी इलेक्ट्रॉन एक रासायनिक अभिक्रिया में भाग लेते हैं क्योंकि उनके पास सभी आंतरिक इलेक्ट्रॉनों की तुलना में अधिक ऊर्जा होती है।
  • किसी तत्व की संयोजकता है
    • संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या के बराबर
    • संयोजी कोश में आठ इलेक्ट्रॉनों को पूरा करने के लिए आवश्यक इलेक्ट्रॉनों की संख्या के बराबर।
  • किसी धातु की संयोजकता = संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या
  • किसी अधातु की संयोजकता = 8 - संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या
  • उदा. के लिए:
    • सोडियम (Z = 11) इलेक्ट्राॅनिक विन्यास = 2,8,1
      • संयोजकता = 1
    • मैग्नेशियम(Z = 2) इलेक्ट्राॅनिक विन्यास = 2,8,2
      • संयोजकता = 2
    • क्लोरीन (Z = 17) इलेक्ट्राॅनिक विन्यास = 2,8,7
      • संयोजकता = 8 - 7 = 1
    • ऑक्सीजन = 8 इलेक्ट्राॅनिक विन्यास = 2,6
      • संयोजकता = 8 - 6 = 2

एक p-n जंक्शन में विसरण विभव ____________।

  1. बढ़ती डोपिंग सांद्रता के साथ घट जाता है
  2. बैंड अंतराल कम होने के साथ बढ़ता है
  3. डोपिंग सांद्रता पर निर्भर नहीं करता है
  4. डोपिंग सांद्रता में वृद्धि के साथ बढ़ता है

Answer (Detailed Solution Below)

Option 4 : डोपिंग सांद्रता में वृद्धि के साथ बढ़ता है

Electronic Devices Question 14 Detailed Solution

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एक pn जंक्शन में, यदि डोपिंग सांद्रता बढ़ जाती है, तो इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों का पुनर्संयोजन बढ़ जाता है, जिससे अवरोध के पार वोल्टेज बढ़ जाती है।

\(V = \frac{{KT}}{q}{\rm{ln}}\left( {\frac{{{N_a}{N_d}}}{{n_i^2}}} \right)\)

उभयनिष्ठ आधार विन्यास में संयोजित एक ट्रांजिस्टर में निम्नलिखित रीडिंग IE = 2 mA और IB = 20 μA हैं। तो धारा लाभ α ज्ञात कीजिए।

  1. 0.95
  2. 1.98
  3. 0.99
  4. 0.98

Answer (Detailed Solution Below)

Option 3 : 0.99

Electronic Devices Question 15 Detailed Solution

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धारा प्रवर्धन कारक: इसे आउटपुट धारा और इनपुट धारा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है। उभयनिष्ठ-आधार विन्यास में आउटपुट धारा एमिटर धारा IC है, जबकि इनपुट धारा आधार धारा IE है।

इसलिए, संग्राहक धारा में परिवर्तन और एमिटर धारा में परिवर्तन के अनुपात को धारा प्रवर्धन कारक के रूप में जाना जाता है। इसे α द्वारा व्यक्त किया गया है। 

\(\alpha = \frac{{{\rm{\Delta }}{I_C}}}{{{\rm{\Delta }}{I_E}}}\)

जहाँ, IE = IC + IB

गणना:

दिया गया है, 

IE = 2 mA

IB  = 20 μA = 0.02 mA

उपरोक्त संकल्पना से, 

IC = 2 mA - 0.02 mA = 1.98 mA

धारा प्रवर्धन कारक को निम्न रूप में ज्ञात किया गया है, 

\(\alpha=\frac{I_C}{I_E}=\frac{1.98}{2}=0.99\)

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