Electronic Devices MCQ Quiz in हिन्दी - Objective Question with Answer for Electronic Devices - मुफ्त [PDF] डाउनलोड करें

Mistake Points

प्रश्न में संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या के बारे में पूछा जा रहा है, न कि परमाणु की संयोजकता के बारे में। चूंकि एक संयोजी इलेक्ट्रॉन बाहरी कोश इलेक्ट्रॉनों की संख्या है जो एक परमाणु से जुड़ा होता है, फॉस्फोरस में 5 और सिलिकॉन में 4 संयोजी इलेक्ट्रॉन होंगे।

सही उत्तर 5 और 4 है।

व्याख्या:

• संयोजी इलेक्ट्रॉन एक बाहरी कोश इलेक्ट्रॉन है जो एक परमाणु से जुड़ा होता है।
• ये इलेक्ट्रॉन एक रासायनिक आबंध के निर्माण में भाग ले सकते हैं।

Key Points

• सिलिकॉन के पहले कोश में दो इलेक्ट्रान होते हैं, दूसरे कोश में आठ इलेक्ट्रान होते हैं और तीसरे कोश में चार (4) इलेक्ट्रान होते हैं।
• चूँकि तीसरे कोश में इलेक्ट्रॉन सबसे बाहरी इलेक्ट्रॉन होते हैं, इसलिए सिलिकॉन में चार संयोजी इलेक्ट्रॉन होते हैं।
• फॉस्फोरस परमाणु क्रमांक 15 के साथ एक पंचसंयोजक तत्त्व है, जिसका अर्थ है कि इसके सबसे बाहरी कोश में 5 संयोजी इलेक्ट्रॉन होते हैं।

अर्धचालक के गुण:

• अर्धचालक ऐसे पदार्थ हैं जिसमें चालक (सामान्यतौर पर धातु) और गैर-चालक या अवरोधक (सिरेमिक जैसे) के बीच एक चालकता होती है।
• अर्धचालक गैलियम आर्सेनाइड जैसे यौगिक या जर्मेनियम या सिलिकॉन जैसे तत्व हो सकते हैं।
• अर्धचालक में लगभग खाली चालन बंध और लगभग भरे हुए रासायनिक संयोजन बंध होते हैं।
• अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता छिद्रों के गतिशीलता की तुलना में उच्च होती है।
• इसकी प्रतिरोधक 10-5 से 106 Ωm के बीच है।
• चालकता 10-5 से 10-6 mho/m के बीच है।
• अर्धचालकों के लिए प्रतिरोध का तापमान गुणांक ऋणात्मक है।
• अर्धचालक में धारा प्रवाह मुख्य रूप से इलेक्ट्रॉन और छिद्र के कारण होता है।

• एवेलांश विभंग वह घटना है जिसमें डायोड की रेटेड क्षमता से आगे मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या में वृद्धि होती है; इसके परिणामस्वरूप विपरीत अभिनत की स्थिति में डायोड के माध्यम से भारी धारा का प्रवाह होता है
• एवेलांश विभंग अल्प अपमिश्रित डायोड में होता है
• जेनर विभंग मुख्य रूप से उच्च विद्युतीय क्षेत्र के कारण होता है; जब उच्च विद्युत क्षेत्र को PN जंक्शन डायोड पर लागू किया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन PN - जंक्शन में प्रवाहित होना शुरू हो जाते हैं; साथ ही, विपरीत अभिनति में थोड़ी धारा विकसित होती है
• जेनर विभंग अत्यंत अपमिश्रित डायोड में होता है

एवेलांश और जेनर विभंग के बीच महत्वपूर्ण अंतर:

ट्रांजिस्टर इस प्रकार कार्य कर सकता है

1) विद्युत धारा दर्पण में प्रतिरोधक

2) स्तर शिफ्टर में संधारित्र

3) संतृप्ति क्षेत्र में बंद या ON स्विच

4) विच्छेद और संतृप्ति क्षेत्र में इन्वर्टर

5) सक्रिय क्षेत्र में एम्प्लीफायर

निकेल-लोहा सेल:

• निकेल-लोहा सेल आवेशित स्थिति में होता है, धनात्मक प्लेट पर सक्रीय पदार्थ Ni(OH)₄ होता है और ऋणात्मक प्लेट पर लौह (Fe) होता है
• धनात्मक और ऋणात्मक प्लेट को एक निकेल-आवृत्त इस्पात के पात्र में रखा जाता है; प्लेटों को कठोर रबड़ के स्ट्रिप द्वारा एक-दूसरे से पृथक किया जाता है
• पात्र में KOH (विद्युत-अपघट्य) के विलयन का 21 प्रतिशत शामिल होता है जिसमें सेल की क्षमता को बढ़ाने के लिए लिथियम हाइड्रेट (LiOH) की छोटी मात्रा को मिलाया जाता है
• इसमें लेड-अम्ल सेल की तुलना में कम वजन और लंबा जीवनकाल होता है
• इस सेल का emf लगभग 1.36 V होता है
• यह सेल पोर्टेबल कार्य के लिए बहुत उपयुक्त होते हैं

विभिन्न पदार्थों के प्रतिरोध पर तापमान का प्रभाव:

चालक: जब चालकिय पदार्थ का तापमान बढ़ता है, तो उस विशिष्ट पदार्थ का प्रतिरोध बढ़ता है।

विद्युत् रोधक: जब चालकिय पदार्थ का तापमान बढ़ता है, तो उस विशिष्ट पदार्थ का प्रतिरोध कम होता है।

अर्धचालक: जब अर्ध-चालकिय पदार्थ का तापमान बढ़ता है, तो उस विशिष्ट पदार्थ का प्रतिरोध कम होता है।

एक पदार्थ के लिए ऋणात्मक गुणांक का अर्थ है कि इसका प्रतिरोध तापमान में वृद्धि के साथ कम होता है। इसलिए शुद्ध अर्धचालक पदार्थ में (सिलिकॉन और जर्मेनियम) विशेष रूप से प्रतिरोध का तापमान गुणांक ऋणात्मक होता है।

संकल्पना:

• एक रासायनिक बंध बनाने के लिए एक तत्व के परमाणु की संयोजन क्षमता को इसकी संयोजकता कहा जाता है।
• किसी परमाणु के बाह्यतम इलेक्ट्रॉन कोश को संयोजी कोश कहा जाता है।
• किसी परमाणु के बाह्यतम कोश में उपस्थित इलेक्ट्रॉनों को संयोजी इलेक्ट्रॉन कहा जाता है।
• एक परमाणु के संयोजी इलेक्ट्रॉन एक रासायनिक अभिक्रिया में भाग लेते हैं क्योंकि उनके पास सभी आंतरिक इलेक्ट्रॉनों की तुलना में अधिक ऊर्जा होती है।
• किसी तत्व की संयोजकता है
  • संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या के बराबर
  • संयोजी कोश में आठ इलेक्ट्रॉनों को पूरा करने के लिए आवश्यक इलेक्ट्रॉनों की संख्या के बराबर।
• किसी धातु की संयोजकता = संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या
• किसी अधातु की संयोजकता = 8 - संयोजी इलेक्ट्रॉनों की संख्या
• उदा. के लिए:
  • सोडियम (Z = 11) इलेक्ट्राॅनिक विन्यास = 2,8,1
    • संयोजकता = 1
  • मैग्नेशियम(Z = 2) इलेक्ट्राॅनिक विन्यास = 2,8,2
    • संयोजकता = 2
  • क्लोरीन (Z = 17) इलेक्ट्राॅनिक विन्यास = 2,8,7
    • संयोजकता = 8 - 7 = 1
  • ऑक्सीजन = 8 इलेक्ट्राॅनिक विन्यास = 2,6
    • संयोजकता = 8 - 6 = 2

एक pn जंक्शन में, यदि डोपिंग सांद्रता बढ़ जाती है, तो इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों का पुनर्संयोजन बढ़ जाता है, जिससे अवरोध के पार वोल्टेज बढ़ जाती है।

$V=\frac{KT}{q}\mathrm{l}\mathrm{n}\left(\frac{N_a{N}_d}{n_i^2}\right)$

धारा प्रवर्धन कारक: इसे आउटपुट धारा और इनपुट धारा के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है। उभयनिष्ठ-आधार विन्यास में आउटपुट धारा एमिटर धारा IC है, जबकि इनपुट धारा आधार धारा IE है।

इसलिए, संग्राहक धारा में परिवर्तन और एमिटर धारा में परिवर्तन के अनुपात को धारा प्रवर्धन कारक के रूप में जाना जाता है। इसे α द्वारा व्यक्त किया गया है। 

$\alpha =\frac{\mathrm{\Delta }{I}_C}{\mathrm{\Delta }{I}_E}$

जहाँ, I_E = I_C + I_B

गणना:

दिया गया है, 

I_E = 2 mA

I_B  = 20 μA = 0.02 mA

उपरोक्त संकल्पना से, 

I_C = 2 mA - 0.02 mA = 1.98 mA

धारा प्रवर्धन कारक को निम्न रूप में ज्ञात किया गया है, 

$\alpha =\frac{I_C}{I_E}=\frac{1.98}{2}=0.99$