Compensated Semiconductors MCQ Quiz in हिन्दी - Objective Question with Answer for Compensated Semiconductors - मुफ्त [PDF] डाउनलोड करें
Last updated on Jun 23, 2025
Latest Compensated Semiconductors MCQ Objective Questions
Compensated Semiconductors Question 1:
एक सीलीकोन सेम्पल को बोरोन द्वारा डोप किये जाने पर जाने पर अपद्रव्य सांद्रता 1.5 × 1014 cm-3 की गयी। संपूर्ण आयनीकरण मानने पर सीलीकोन की आंतरीक प्रवाहक सांद्रता 1.5 × 1010 cm-3 हो तो इलेक्ट्रान की सांद्रता कितनी होगी?
Answer (Detailed Solution Below)
Compensated Semiconductors Question 1 Detailed Solution
Compensated Semiconductors Question 2:
निम्नलिखित समान रूप से डोपित n-प्रकार Si नमूने पर विचार करें जिसकी लंबाई 100 μm है, जिसे T = 300K, \(\rm \mu _p = 400 \ \frac{cm^2}{v -sec}, n_i = 10^{10} cm^{-3}\) पर बनाए रखा गया है।
सतह पर आपतित प्रकाश x = 0 पर अवशोषित होता है, जिसके परिणामस्वरूप pn (0) - p0 = 108 / cm3 अतिरिक्त छिद्र x = 0 पर होते हैं। x> 0 के लिए उत्पादन दर शून्य है)
x के फलन के रूप में अल्पसंख्यक आवेश वाहक (छिद्र) का व्यंजक _____ है।
Answer (Detailed Solution Below)
Compensated Semiconductors Question 2 Detailed Solution
गणना:
तापीय साम्यावस्था के तहत प्रारंभिक (प्रकाश के बिना) छिद्र सांद्रता निम्न है
\(\rm p_0 = \frac{n_i^2}{n_0} = \frac{n_i^2}{N_D} = \frac{(10^{10})^2}{10^{16}} = 10^4 cm^{-3}\)
प्रकाश आपतन के बाद अतिरिक्त छिद्र सांद्रता निम्न है
pn(0) = pn (∞) + [pn (0) - pn (∞)]e-x/Lp
pn(x) = p0 + [pn (0) - p0]e-x/Lp
pn(x) = 104 + 108 \(\rm e^{-x/100 \times 10^{-4}}\) cm-3
\(\rm p_n(x) = 10^4 + 10^8 e^{-10^{2}x} cm^{-3}\)
Top Compensated Semiconductors MCQ Objective Questions
एक सीलीकोन सेम्पल को बोरोन द्वारा डोप किये जाने पर जाने पर अपद्रव्य सांद्रता 1.5 × 1014 cm-3 की गयी। संपूर्ण आयनीकरण मानने पर सीलीकोन की आंतरीक प्रवाहक सांद्रता 1.5 × 1010 cm-3 हो तो इलेक्ट्रान की सांद्रता कितनी होगी?
Answer (Detailed Solution Below)
Compensated Semiconductors Question 3 Detailed Solution
Download Solution PDFCompensated Semiconductors Question 4:
निम्नलिखित समान रूप से डोपित n-प्रकार Si नमूने पर विचार करें जिसकी लंबाई 100 μm है, जिसे T = 300K, \(\rm \mu _p = 400 \ \frac{cm^2}{v -sec}, n_i = 10^{10} cm^{-3}\) पर बनाए रखा गया है।
सतह पर आपतित प्रकाश x = 0 पर अवशोषित होता है, जिसके परिणामस्वरूप pn (0) - p0 = 108 / cm3 अतिरिक्त छिद्र x = 0 पर होते हैं। x> 0 के लिए उत्पादन दर शून्य है)
x के फलन के रूप में अल्पसंख्यक आवेश वाहक (छिद्र) का व्यंजक _____ है।
Answer (Detailed Solution Below)
Compensated Semiconductors Question 4 Detailed Solution
गणना:
तापीय साम्यावस्था के तहत प्रारंभिक (प्रकाश के बिना) छिद्र सांद्रता निम्न है
\(\rm p_0 = \frac{n_i^2}{n_0} = \frac{n_i^2}{N_D} = \frac{(10^{10})^2}{10^{16}} = 10^4 cm^{-3}\)
प्रकाश आपतन के बाद अतिरिक्त छिद्र सांद्रता निम्न है
pn(0) = pn (∞) + [pn (0) - pn (∞)]e-x/Lp
pn(x) = p0 + [pn (0) - p0]e-x/Lp
pn(x) = 104 + 108 \(\rm e^{-x/100 \times 10^{-4}}\) cm-3
\(\rm p_n(x) = 10^4 + 10^8 e^{-10^{2}x} cm^{-3}\)
Compensated Semiconductors Question 5:
एक सीलीकोन सेम्पल को बोरोन द्वारा डोप किये जाने पर जाने पर अपद्रव्य सांद्रता 1.5 × 1014 cm-3 की गयी। संपूर्ण आयनीकरण मानने पर सीलीकोन की आंतरीक प्रवाहक सांद्रता 1.5 × 1010 cm-3 हो तो इलेक्ट्रान की सांद्रता कितनी होगी?