Approximate Drain Current MCQ Quiz in हिन्दी - Objective Question with Answer for Approximate Drain Current - मुफ्त [PDF] डाउनलोड करें

• वर्धन मोड वाला MOSFET "सामान्यतौर पर खुले" स्विच के समकक्ष होते हैं जिसे उपकरण को चालू करने के लिए गेट-स्रोत वोल्टेज की आवश्यकता होती है।
• यदि धनात्मक वोल्टेज (+VGS) को n - चैनल वाले गेट टर्मिनल पर लागू किया जाता है, तो केवल चैनल संचालित होगा और अपवाहिका धारा चैनल के माध्यम से प्रवाहित होना शुरू हो जाती है।
• यदि अभिनत वोल्टेज शून्य या ऋणात्मक (-VGS) होता है, तो ट्रांजिस्टर बंद हो जाती है और चैनल गैर-संवाही अवस्था में रहती है, जिसके परिणामस्वरूप अपवाहिका धारा शून्य हो जाती है।

n - चैनल वाले MOSFET की V-I विशेषता को नीचे दर्शाया गया है:

अवलोकन:

• VT, MOSFET का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज है। यह वह न्यूनतम वोल्टेज है जिसे बनाने के लिए संवाही चैनल पर लागू किया जाता है। 
• 0 - वोल्टेज वाले इनपुट वोल्टेज (VGS) के लिए अपवहिका धारा ID शून्य होती है। 

संकल्पना:

संतृप्ति क्षेत्र में अपवाह धारा निम्न द्वारा दी जाती है

$I_D=\frac{1}{2}{\mu }_n{C}_{ox}\left(\frac{W}{L}\right){(V_{Gs}-V_T)}^2(1+\lambda V_{DS})$

गणना:

$\frac{I_{D1}}{I_{D2}}=\frac{1+\lambda {V_{DS}}_1}{1+\lambda {V_{DS}}_2}$

$I_{D2}=\frac{(1+\lambda {V_{DS}}_2)}{(1+\lambda {V_{DS}}_1)}{I}_{D1}$

$I_{D2}=\left[\frac{1+\left(0.1\right)\left(1\right)}{1+\left(0.1\right)\left(0.5\right)}\right]1$

$=\left[\frac{1.1}{1.05}\right]1$

= 1.047 mA

संकल्पना:

FET के सक्रिय क्षेत्र में अपवाह धारा ( ID ) निम्न द्वारा दी गई है

${\mathrm{I}}_{\mathrm{D}}={\mathrm{I}}_{\mathrm{D}\mathrm{S}\mathrm{S}}{\left(1-\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{G}\mathrm{S}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{P}}}\right)}^2$

I_D = अपवाह धारा

I_DSS = शून्य अभिनती के लिए अपवाह धारा

V_GS = गेट से स्रोत वोल्टेज

V_p = संकुचन वोल्टेज

गणना:

 ${\mathrm{I}}_{\mathrm{D}}={\mathrm{I}}_{\mathrm{D}\mathrm{S}\mathrm{S}}{\left(1-\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{G}\mathrm{S}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{P}}}\right)}^2$

दिया गया है कि,

I­_DSS = 10 mA, V_GS = -3 V, V_P = -6 V

 ${\mathrm{I}}_{\mathrm{D}}=10{\left(1-\frac{\left(-3\right)}{\left(-6\right)}\right)}^2=10{\left(1-\frac{1}{2}\right)}^2=2.5\mathrm{m}\mathrm{A}$

I_D = 2.5 mA

• वर्धन मोड वाला MOSFET "सामान्यतौर पर खुले" स्विच के समकक्ष होते हैं जिसे उपकरण को चालू करने के लिए गेट-स्रोत वोल्टेज की आवश्यकता होती है।
• यदि धनात्मक वोल्टेज (+VGS) को n - चैनल वाले गेट टर्मिनल पर लागू किया जाता है, तो केवल चैनल संचालित होगा और अपवाहिका धारा चैनल के माध्यम से प्रवाहित होना शुरू हो जाती है।
• यदि अभिनत वोल्टेज शून्य या ऋणात्मक (-VGS) होता है, तो ट्रांजिस्टर बंद हो जाती है और चैनल गैर-संवाही अवस्था में रहती है, जिसके परिणामस्वरूप अपवाहिका धारा शून्य हो जाती है।

n - चैनल वाले MOSFET की V-I विशेषता को नीचे दर्शाया गया है:

अवलोकन:

• VT, MOSFET का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज है। यह वह न्यूनतम वोल्टेज है जिसे बनाने के लिए संवाही चैनल पर लागू किया जाता है। 
• 0 - वोल्टेज वाले इनपुट वोल्टेज (VGS) के लिए अपवहिका धारा ID शून्य होती है। 

संकल्पना:

FET के सक्रिय क्षेत्र में अपवाह धारा ( ID ) निम्न द्वारा दी गई है

${\mathrm{I}}_{\mathrm{D}}={\mathrm{I}}_{\mathrm{D}\mathrm{S}\mathrm{S}}{\left(1-\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{G}\mathrm{S}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{P}}}\right)}^2$

I_D = अपवाह धारा

I_DSS = शून्य अभिनती के लिए अपवाह धारा

V_GS = गेट से स्रोत वोल्टेज

V_p = संकुचन वोल्टेज

गणना:

 ${\mathrm{I}}_{\mathrm{D}}={\mathrm{I}}_{\mathrm{D}\mathrm{S}\mathrm{S}}{\left(1-\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{G}\mathrm{S}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{P}}}\right)}^2$

दिया गया है कि,

I­_DSS = 10 mA, V_GS = -3 V, V_P = -6 V

 ${\mathrm{I}}_{\mathrm{D}}=10{\left(1-\frac{\left(-3\right)}{\left(-6\right)}\right)}^2=10{\left(1-\frac{1}{2}\right)}^2=2.5\mathrm{m}\mathrm{A}$

I_D = 2.5 mA

संकल्पना:

संतृप्ति क्षेत्र में अपवाह धारा निम्न द्वारा दी जाती है

$I_D=\frac{1}{2}{\mu }_n{C}_{ox}\left(\frac{W}{L}\right){(V_{Gs}-V_T)}^2(1+\lambda V_{DS})$

गणना:

$\frac{I_{D1}}{I_{D2}}=\frac{1+\lambda {V_{DS}}_1}{1+\lambda {V_{DS}}_2}$

$I_{D2}=\frac{(1+\lambda {V_{DS}}_2)}{(1+\lambda {V_{DS}}_1)}{I}_{D1}$

$I_{D2}=\left[\frac{1+\left(0.1\right)\left(1\right)}{1+\left(0.1\right)\left(0.5\right)}\right]1$

$=\left[\frac{1.1}{1.05}\right]1$

= 1.047 mA

• वर्धन मोड वाला MOSFET "सामान्यतौर पर खुले" स्विच के समकक्ष होते हैं जिसे उपकरण को चालू करने के लिए गेट-स्रोत वोल्टेज की आवश्यकता होती है।
• यदि धनात्मक वोल्टेज (+VGS) को n - चैनल वाले गेट टर्मिनल पर लागू किया जाता है, तो केवल चैनल संचालित होगा और अपवाहिका धारा चैनल के माध्यम से प्रवाहित होना शुरू हो जाती है।
• यदि अभिनत वोल्टेज शून्य या ऋणात्मक (-VGS) होता है, तो ट्रांजिस्टर बंद हो जाती है और चैनल गैर-संवाही अवस्था में रहती है, जिसके परिणामस्वरूप अपवाहिका धारा शून्य हो जाती है।

n - चैनल वाले MOSFET की V-I विशेषता को नीचे दर्शाया गया है:

अवलोकन:

• VT, MOSFET का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज है। यह वह न्यूनतम वोल्टेज है जिसे बनाने के लिए संवाही चैनल पर लागू किया जाता है। 
• 0 - वोल्टेज वाले इनपुट वोल्टेज (VGS) के लिए अपवहिका धारा ID शून्य होती है।