MOSFET MCQ Quiz in বাংলা - Objective Question with Answer for MOSFET - বিনামূল্যে ডাউনলোড করুন [PDF]
Last updated on Jun 23, 2025
Latest MOSFET MCQ Objective Questions
MOSFET Question 1:
MOSFET এর কাছে আছে :
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 1 Detailed Solution
মেটাল অক্সাইড সিলিকন ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFET)
- এটি একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত তিন-টার্মিনাল ডিভাইস যা স্যুইচিং এবং পরিবর্ধনের উদ্দেশ্যে ব্যবহৃত হয়।
- টার্মিনালগুলি হল ড্রেন, গেট এবং উত্স।
- MOSFET দুটি শ্রেণীর: বর্ধিতকরণ মোড এবং হ্রাস মোড। প্রতিটি ক্লাস একটি এন-চ্যানেল বা পি-চ্যানেল হিসাবে উপলব্ধ।
- গেটে ভোল্টেজ MOSFET এর অপারেশন নিয়ন্ত্রণ করে। এই ক্ষেত্রে, ধনাত্মক এবং ঋণাত্মক উভয় ভোল্টেজ গেটে প্রয়োগ করা যেতে পারে কারণ এটি চ্যানেল থেকে উত্তাপযুক্ত।
- একটি নেতিবাচক গেট বায়াস ভোল্টেজের সাথে, এটি একটি হ্রাস MOSFET হিসাবে কাজ করে যখন একটি পজিটিভ গেট বায়াস ভোল্টেজের সাথে, এটি একটি বর্ধিত MOSFET হিসাবে কাজ করে।
- MOSFET-এর সাধারণ ড্রেন কনফিগারেশনে উচ্চ ইনপুট প্রতিরোধ এবং কম আউটপুট প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে।
MOSFET Question 2:
নিম্নলিখিত কোনটি একটি মৌলিক MOSFET যন্ত্রের ধরন নয়?
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 2 Detailed Solution
MOSFET:
MOSFET হল একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর।
এটিতে একটি "ধাতব অক্সাইড" গেট ইলেক্ট্রোড রয়েছে যা প্রধান সেমিকন্ডাক্টর n-চ্যানেল বা p-চ্যানেল থেকে একটি খুব পাতলা অন্তরক উপাদান দ্বারা বৈদ্যুতিকভাবে উত্তাপিত হয় সাধারণত সিলিকন ডাই অক্সাইড (SiO2), যা সাধারণত গ্লাস নামে পরিচিত।
অন্তরক SiO2 স্তর উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা প্রদান করে।
MOSFET দুই ধরনের:
অবক্ষয় প্রকার (D-MOSFET):
- উৎস এবং নিষ্কাশনের মধ্যে ভৌত স্তরের উপস্থিতি।
- আমরা উৎস এবং গেটের মধ্যে ধনাত্মক এবং ঋণাত্মক উভয় প্রয়োগ করতে পারি।
বর্ধিতকরণ প্রকার (e-MOSFET):
- উৎস এবং নিকাশের মধ্যে শারীরিক স্তরের অনুপস্থিতি
- গেট এবং উৎসের মধ্যে শুধুমাত্র এক ধরনের পোলারিটি ভোল্টেজ যেমন ভৌত স্তর তৈরি করা উচিত।
MOSFET এর প্রতীক উপস্থাপনা:
MOSFET Question 3:
CMOS সাধারণত কিসের সংক্ষিপ্ত রূপ:
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 3 Detailed Solution
CMOS:
- CMOS শব্দটি “কমপ্লিমেন্টারি মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর (Complementary MOSFET)” এর সংক্ষিপ্ত রূপ।
- কম্পিউটার চিপ ডিজাইন শিল্পে এটি সবচেয়ে জনপ্রিয় প্রযুক্তিগুলির মধ্যে একটি এবং এটি আজ অসংখ্য এবং বৈচিত্র্যপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশনে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরি করতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
- আজকের কম্পিউটার মেমরি, CPU এবং সেল ফোনগুলি বেশ কয়েকটি প্রধান সুবিধার কারণে এই প্রযুক্তি ব্যবহার করে।
- এই প্রযুক্তি P চ্যানেল এবং N চ্যানেল উভয় সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস ব্যবহার করে।
- আজ উপলব্ধ সবচেয়ে জনপ্রিয় MOSFET প্রযুক্তিগুলির মধ্যে একটি হল কমপ্লিমেন্টারি MOS বা CMOS প্রযুক্তি।
- এটি মাইক্রোপ্রসেসর, মাইক্রোকন্ট্রোলার চিপ, RAM, ROM, EEPROM এর মতো মেমরি এবং অ্যাপ্লিকেশন-নির্দিষ্ট ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (ASIC) এর জন্য প্রধান সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি।
CMOS লজিক গেটের সুবিধা:
- অত্যন্ত বড় ফ্যান-আউট ক্ষমতা (>50)।
- সব গেটের মধ্যে সর্বনিম্ন পাওয়ার অপচয় (কিছু nW)।
- খুব উচ্চ নয়েজ-ইমিউনিটি এবং নয়েজ-মার্জিন (সাধারণত, VDD/2)।
- NMOS এর চেয়ে কম প্রোডাকশন ডিলে।
- NMOS এর চেয়ে বেশি গতি। বর্তমানে, 4 GHz (বা তার বেশি) গতিতে কাজ করা কম্পিউটার চিপগুলি খোলা বাজারে পাওয়া যায়।
- বৃহৎ লজিক সুইং (=VDD)।
- শুধুমাত্র একটি একক পাওয়ার সাপ্লাই (+ VDD) প্রয়োজন।
- TTL গেটগুলির সাথে সরাসরি সামঞ্জস্যপূর্ণ।
- তাপমাত্রার স্থায়িত্ব চমৎকার।
- কম-ভোল্টেজ (1.5 V) চিপ এখন উপলব্ধ।
CMOS লজিক গেটের অসুবিধা:
- অতিরিক্ত প্রক্রিয়াকরণ পদক্ষেপের কারণে খরচ বৃদ্ধি। কিন্তু, এটি সংশোধন করা হচ্ছে।
- NMOS এর চেয়ে কম প্যাকিং ঘনত্ব। পাস-ট্রানজিস্টর লজিক কাঠামো ব্যবহার করে, NMOS গেটের সমান বা তার চেয়ে বেশি প্যাকিং ঘনত্ব সম্ভব।
- MOS চিপগুলিকে স্ট্যাটিক চার্জ থেকে রক্ষা করতে হবে যাতে লিডগুলি শর্ট করে রাখা হয়। লিডগুলিতে অর্জিত স্ট্যাটিক চার্জ চিপটিকে নষ্ট করে দেবে। বর্তমানে এই সমস্যাটি বিল্ট-ইন প্রতিরক্ষামূলক ডিভাইস বা সার্কিট ব্যবহার করে সমাধান করা হয়েছে।
- CMOS লজিক পরিবারের প্রধান অসুবিধা হল তাদের ধীর গতিতে কাজ করা।
- CMOS পরিবারের জন্য প্রোডাকশন ডিলে টাইম প্রায় 50ns, যেখানে TTL লজিক পরিবারের জন্য এটি প্রায় 4 থেকে 12 ns।
MOSFET Question 4:
কেন একটি এন-চ্যানেল MOSFET একটি P-চ্যানেল MOSFET থেকে পছন্দ করা হয়?
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 4 Detailed Solution
- এন-চ্যানেল ডিভাইসের ক্ষেত্রে বাহক ইলেকট্রনের গতিশীলতা গর্তের চেয়ে বেশি, যা পি-চ্যানেল ডিভাইসের বাহক।
- এইভাবে একটি এন-চ্যানেল ডিভাইস একটি পি-চ্যানেল ডিভাইসের চেয়ে দ্রুত।
- N - চ্যানেল ট্রানজিস্টরের একই ডাই এরিয়ার জন্য কম অন-রেজিস্ট্যান্স এবং গেট ক্যাপাসিট্যান্স রয়েছে।
MOSFET Question 5:
______ অঞ্চলে, একটি ট্রানজিস্টর বন্ধ সুইচ হিসাবে কাজ করে।
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 5 Detailed Solution
ট্রানজিস্টরকে যা হিসেবে কাজ করা যেতে পারে
1) প্রবাহ আয়নায় প্রতিরোধক
2) স্তর স্থানান্তরকারীতে তড়িত-ধারক
3) সম্পৃক্তি অঞ্চলে বন্ধ বা চালু সুইচ
4) বিছিন্ন এবং সম্পৃক্তি অঞ্চলে বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল
5) সক্রিয় অঞ্চলে পরিবর্ধক
ধরন |
EB পক্ষপাতমূলক |
সংগ্রাহক ভিত্তিক পক্ষপাত |
উপযোজন |
বিছিন্ন |
বিপরীত |
বিপরীত |
বন্ধ বা চালু সুইচ |
সক্রিয় |
অগ্রচালিত |
বিপরীত |
পরিবর্ধক |
বিপরীত e Active |
বিপরীত |
অগ্রচালিত |
দরকারী নয় |
সম্পৃক্তি |
অগ্রচালিত |
অগ্রচালিত |
বন্ধ বা চালু সুইচ |
Top MOSFET MCQ Objective Questions
______ অঞ্চলে, একটি ট্রানজিস্টর বন্ধ সুইচ হিসাবে কাজ করে।
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 6 Detailed Solution
Download Solution PDFট্রানজিস্টরকে যা হিসেবে কাজ করা যেতে পারে
1) প্রবাহ আয়নায় প্রতিরোধক
2) স্তর স্থানান্তরকারীতে তড়িত-ধারক
3) সম্পৃক্তি অঞ্চলে বন্ধ বা চালু সুইচ
4) বিছিন্ন এবং সম্পৃক্তি অঞ্চলে বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল
5) সক্রিয় অঞ্চলে পরিবর্ধক
ধরন |
EB পক্ষপাতমূলক |
সংগ্রাহক ভিত্তিক পক্ষপাত |
উপযোজন |
বিছিন্ন |
বিপরীত |
বিপরীত |
বন্ধ বা চালু সুইচ |
সক্রিয় |
অগ্রচালিত |
বিপরীত |
পরিবর্ধক |
বিপরীত e Active |
বিপরীত |
অগ্রচালিত |
দরকারী নয় |
সম্পৃক্তি |
অগ্রচালিত |
অগ্রচালিত |
বন্ধ বা চালু সুইচ |
কেন একটি এন-চ্যানেল MOSFET একটি P-চ্যানেল MOSFET থেকে পছন্দ করা হয়?
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 7 Detailed Solution
Download Solution PDF- এন-চ্যানেল ডিভাইসের ক্ষেত্রে বাহক ইলেকট্রনের গতিশীলতা গর্তের চেয়ে বেশি, যা পি-চ্যানেল ডিভাইসের বাহক।
- এইভাবে একটি এন-চ্যানেল ডিভাইস একটি পি-চ্যানেল ডিভাইসের চেয়ে দ্রুত।
- N - চ্যানেল ট্রানজিস্টরের একই ডাই এরিয়ার জন্য কম অন-রেজিস্ট্যান্স এবং গেট ক্যাপাসিট্যান্স রয়েছে।
MOSFET এর কাছে আছে :
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 8 Detailed Solution
Download Solution PDFমেটাল অক্সাইড সিলিকন ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFET)
- এটি একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত তিন-টার্মিনাল ডিভাইস যা স্যুইচিং এবং পরিবর্ধনের উদ্দেশ্যে ব্যবহৃত হয়।
- টার্মিনালগুলি হল ড্রেন, গেট এবং উত্স।
- MOSFET দুটি শ্রেণীর: বর্ধিতকরণ মোড এবং হ্রাস মোড। প্রতিটি ক্লাস একটি এন-চ্যানেল বা পি-চ্যানেল হিসাবে উপলব্ধ।
- গেটে ভোল্টেজ MOSFET এর অপারেশন নিয়ন্ত্রণ করে। এই ক্ষেত্রে, ধনাত্মক এবং ঋণাত্মক উভয় ভোল্টেজ গেটে প্রয়োগ করা যেতে পারে কারণ এটি চ্যানেল থেকে উত্তাপযুক্ত।
- একটি নেতিবাচক গেট বায়াস ভোল্টেজের সাথে, এটি একটি হ্রাস MOSFET হিসাবে কাজ করে যখন একটি পজিটিভ গেট বায়াস ভোল্টেজের সাথে, এটি একটি বর্ধিত MOSFET হিসাবে কাজ করে।
- MOSFET-এর সাধারণ ড্রেন কনফিগারেশনে উচ্চ ইনপুট প্রতিরোধ এবং কম আউটপুট প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে।
নিম্নলিখিত কোনটি একটি মৌলিক MOSFET যন্ত্রের ধরন নয়?
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 9 Detailed Solution
Download Solution PDFMOSFET:
MOSFET হল একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর।
এটিতে একটি "ধাতব অক্সাইড" গেট ইলেক্ট্রোড রয়েছে যা প্রধান সেমিকন্ডাক্টর n-চ্যানেল বা p-চ্যানেল থেকে একটি খুব পাতলা অন্তরক উপাদান দ্বারা বৈদ্যুতিকভাবে উত্তাপিত হয় সাধারণত সিলিকন ডাই অক্সাইড (SiO2), যা সাধারণত গ্লাস নামে পরিচিত।
অন্তরক SiO2 স্তর উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা প্রদান করে।
MOSFET দুই ধরনের:
অবক্ষয় প্রকার (D-MOSFET):
- উৎস এবং নিষ্কাশনের মধ্যে ভৌত স্তরের উপস্থিতি।
- আমরা উৎস এবং গেটের মধ্যে ধনাত্মক এবং ঋণাত্মক উভয় প্রয়োগ করতে পারি।
বর্ধিতকরণ প্রকার (e-MOSFET):
- উৎস এবং নিকাশের মধ্যে শারীরিক স্তরের অনুপস্থিতি
- গেট এবং উৎসের মধ্যে শুধুমাত্র এক ধরনের পোলারিটি ভোল্টেজ যেমন ভৌত স্তর তৈরি করা উচিত।
MOSFET এর প্রতীক উপস্থাপনা:
CMOS সাধারণত কিসের সংক্ষিপ্ত রূপ:
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 10 Detailed Solution
Download Solution PDFCMOS:
- CMOS শব্দটি “কমপ্লিমেন্টারি মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর (Complementary MOSFET)” এর সংক্ষিপ্ত রূপ।
- কম্পিউটার চিপ ডিজাইন শিল্পে এটি সবচেয়ে জনপ্রিয় প্রযুক্তিগুলির মধ্যে একটি এবং এটি আজ অসংখ্য এবং বৈচিত্র্যপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশনে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরি করতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
- আজকের কম্পিউটার মেমরি, CPU এবং সেল ফোনগুলি বেশ কয়েকটি প্রধান সুবিধার কারণে এই প্রযুক্তি ব্যবহার করে।
- এই প্রযুক্তি P চ্যানেল এবং N চ্যানেল উভয় সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস ব্যবহার করে।
- আজ উপলব্ধ সবচেয়ে জনপ্রিয় MOSFET প্রযুক্তিগুলির মধ্যে একটি হল কমপ্লিমেন্টারি MOS বা CMOS প্রযুক্তি।
- এটি মাইক্রোপ্রসেসর, মাইক্রোকন্ট্রোলার চিপ, RAM, ROM, EEPROM এর মতো মেমরি এবং অ্যাপ্লিকেশন-নির্দিষ্ট ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (ASIC) এর জন্য প্রধান সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি।
CMOS লজিক গেটের সুবিধা:
- অত্যন্ত বড় ফ্যান-আউট ক্ষমতা (>50)।
- সব গেটের মধ্যে সর্বনিম্ন পাওয়ার অপচয় (কিছু nW)।
- খুব উচ্চ নয়েজ-ইমিউনিটি এবং নয়েজ-মার্জিন (সাধারণত, VDD/2)।
- NMOS এর চেয়ে কম প্রোডাকশন ডিলে।
- NMOS এর চেয়ে বেশি গতি। বর্তমানে, 4 GHz (বা তার বেশি) গতিতে কাজ করা কম্পিউটার চিপগুলি খোলা বাজারে পাওয়া যায়।
- বৃহৎ লজিক সুইং (=VDD)।
- শুধুমাত্র একটি একক পাওয়ার সাপ্লাই (+ VDD) প্রয়োজন।
- TTL গেটগুলির সাথে সরাসরি সামঞ্জস্যপূর্ণ।
- তাপমাত্রার স্থায়িত্ব চমৎকার।
- কম-ভোল্টেজ (1.5 V) চিপ এখন উপলব্ধ।
CMOS লজিক গেটের অসুবিধা:
- অতিরিক্ত প্রক্রিয়াকরণ পদক্ষেপের কারণে খরচ বৃদ্ধি। কিন্তু, এটি সংশোধন করা হচ্ছে।
- NMOS এর চেয়ে কম প্যাকিং ঘনত্ব। পাস-ট্রানজিস্টর লজিক কাঠামো ব্যবহার করে, NMOS গেটের সমান বা তার চেয়ে বেশি প্যাকিং ঘনত্ব সম্ভব।
- MOS চিপগুলিকে স্ট্যাটিক চার্জ থেকে রক্ষা করতে হবে যাতে লিডগুলি শর্ট করে রাখা হয়। লিডগুলিতে অর্জিত স্ট্যাটিক চার্জ চিপটিকে নষ্ট করে দেবে। বর্তমানে এই সমস্যাটি বিল্ট-ইন প্রতিরক্ষামূলক ডিভাইস বা সার্কিট ব্যবহার করে সমাধান করা হয়েছে।
- CMOS লজিক পরিবারের প্রধান অসুবিধা হল তাদের ধীর গতিতে কাজ করা।
- CMOS পরিবারের জন্য প্রোডাকশন ডিলে টাইম প্রায় 50ns, যেখানে TTL লজিক পরিবারের জন্য এটি প্রায় 4 থেকে 12 ns।
MOSFET Question 11:
______ অঞ্চলে, একটি ট্রানজিস্টর বন্ধ সুইচ হিসাবে কাজ করে।
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 11 Detailed Solution
ট্রানজিস্টরকে যা হিসেবে কাজ করা যেতে পারে
1) প্রবাহ আয়নায় প্রতিরোধক
2) স্তর স্থানান্তরকারীতে তড়িত-ধারক
3) সম্পৃক্তি অঞ্চলে বন্ধ বা চালু সুইচ
4) বিছিন্ন এবং সম্পৃক্তি অঞ্চলে বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল
5) সক্রিয় অঞ্চলে পরিবর্ধক
ধরন |
EB পক্ষপাতমূলক |
সংগ্রাহক ভিত্তিক পক্ষপাত |
উপযোজন |
বিছিন্ন |
বিপরীত |
বিপরীত |
বন্ধ বা চালু সুইচ |
সক্রিয় |
অগ্রচালিত |
বিপরীত |
পরিবর্ধক |
বিপরীত e Active |
বিপরীত |
অগ্রচালিত |
দরকারী নয় |
সম্পৃক্তি |
অগ্রচালিত |
অগ্রচালিত |
বন্ধ বা চালু সুইচ |
MOSFET Question 12:
কেন একটি এন-চ্যানেল MOSFET একটি P-চ্যানেল MOSFET থেকে পছন্দ করা হয়?
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 12 Detailed Solution
- এন-চ্যানেল ডিভাইসের ক্ষেত্রে বাহক ইলেকট্রনের গতিশীলতা গর্তের চেয়ে বেশি, যা পি-চ্যানেল ডিভাইসের বাহক।
- এইভাবে একটি এন-চ্যানেল ডিভাইস একটি পি-চ্যানেল ডিভাইসের চেয়ে দ্রুত।
- N - চ্যানেল ট্রানজিস্টরের একই ডাই এরিয়ার জন্য কম অন-রেজিস্ট্যান্স এবং গেট ক্যাপাসিট্যান্স রয়েছে।
MOSFET Question 13:
MOSFET এর কাছে আছে :
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 13 Detailed Solution
মেটাল অক্সাইড সিলিকন ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFET)
- এটি একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত তিন-টার্মিনাল ডিভাইস যা স্যুইচিং এবং পরিবর্ধনের উদ্দেশ্যে ব্যবহৃত হয়।
- টার্মিনালগুলি হল ড্রেন, গেট এবং উত্স।
- MOSFET দুটি শ্রেণীর: বর্ধিতকরণ মোড এবং হ্রাস মোড। প্রতিটি ক্লাস একটি এন-চ্যানেল বা পি-চ্যানেল হিসাবে উপলব্ধ।
- গেটে ভোল্টেজ MOSFET এর অপারেশন নিয়ন্ত্রণ করে। এই ক্ষেত্রে, ধনাত্মক এবং ঋণাত্মক উভয় ভোল্টেজ গেটে প্রয়োগ করা যেতে পারে কারণ এটি চ্যানেল থেকে উত্তাপযুক্ত।
- একটি নেতিবাচক গেট বায়াস ভোল্টেজের সাথে, এটি একটি হ্রাস MOSFET হিসাবে কাজ করে যখন একটি পজিটিভ গেট বায়াস ভোল্টেজের সাথে, এটি একটি বর্ধিত MOSFET হিসাবে কাজ করে।
- MOSFET-এর সাধারণ ড্রেন কনফিগারেশনে উচ্চ ইনপুট প্রতিরোধ এবং কম আউটপুট প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে।
MOSFET Question 14:
নিম্নলিখিত কোনটি একটি মৌলিক MOSFET যন্ত্রের ধরন নয়?
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 14 Detailed Solution
MOSFET:
MOSFET হল একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর।
এটিতে একটি "ধাতব অক্সাইড" গেট ইলেক্ট্রোড রয়েছে যা প্রধান সেমিকন্ডাক্টর n-চ্যানেল বা p-চ্যানেল থেকে একটি খুব পাতলা অন্তরক উপাদান দ্বারা বৈদ্যুতিকভাবে উত্তাপিত হয় সাধারণত সিলিকন ডাই অক্সাইড (SiO2), যা সাধারণত গ্লাস নামে পরিচিত।
অন্তরক SiO2 স্তর উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা প্রদান করে।
MOSFET দুই ধরনের:
অবক্ষয় প্রকার (D-MOSFET):
- উৎস এবং নিষ্কাশনের মধ্যে ভৌত স্তরের উপস্থিতি।
- আমরা উৎস এবং গেটের মধ্যে ধনাত্মক এবং ঋণাত্মক উভয় প্রয়োগ করতে পারি।
বর্ধিতকরণ প্রকার (e-MOSFET):
- উৎস এবং নিকাশের মধ্যে শারীরিক স্তরের অনুপস্থিতি
- গেট এবং উৎসের মধ্যে শুধুমাত্র এক ধরনের পোলারিটি ভোল্টেজ যেমন ভৌত স্তর তৈরি করা উচিত।
MOSFET এর প্রতীক উপস্থাপনা:
MOSFET Question 15:
CMOS সাধারণত কিসের সংক্ষিপ্ত রূপ:
Answer (Detailed Solution Below)
MOSFET Question 15 Detailed Solution
CMOS:
- CMOS শব্দটি “কমপ্লিমেন্টারি মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর (Complementary MOSFET)” এর সংক্ষিপ্ত রূপ।
- কম্পিউটার চিপ ডিজাইন শিল্পে এটি সবচেয়ে জনপ্রিয় প্রযুক্তিগুলির মধ্যে একটি এবং এটি আজ অসংখ্য এবং বৈচিত্র্যপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশনে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরি করতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
- আজকের কম্পিউটার মেমরি, CPU এবং সেল ফোনগুলি বেশ কয়েকটি প্রধান সুবিধার কারণে এই প্রযুক্তি ব্যবহার করে।
- এই প্রযুক্তি P চ্যানেল এবং N চ্যানেল উভয় সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস ব্যবহার করে।
- আজ উপলব্ধ সবচেয়ে জনপ্রিয় MOSFET প্রযুক্তিগুলির মধ্যে একটি হল কমপ্লিমেন্টারি MOS বা CMOS প্রযুক্তি।
- এটি মাইক্রোপ্রসেসর, মাইক্রোকন্ট্রোলার চিপ, RAM, ROM, EEPROM এর মতো মেমরি এবং অ্যাপ্লিকেশন-নির্দিষ্ট ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (ASIC) এর জন্য প্রধান সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি।
CMOS লজিক গেটের সুবিধা:
- অত্যন্ত বড় ফ্যান-আউট ক্ষমতা (>50)।
- সব গেটের মধ্যে সর্বনিম্ন পাওয়ার অপচয় (কিছু nW)।
- খুব উচ্চ নয়েজ-ইমিউনিটি এবং নয়েজ-মার্জিন (সাধারণত, VDD/2)।
- NMOS এর চেয়ে কম প্রোডাকশন ডিলে।
- NMOS এর চেয়ে বেশি গতি। বর্তমানে, 4 GHz (বা তার বেশি) গতিতে কাজ করা কম্পিউটার চিপগুলি খোলা বাজারে পাওয়া যায়।
- বৃহৎ লজিক সুইং (=VDD)।
- শুধুমাত্র একটি একক পাওয়ার সাপ্লাই (+ VDD) প্রয়োজন।
- TTL গেটগুলির সাথে সরাসরি সামঞ্জস্যপূর্ণ।
- তাপমাত্রার স্থায়িত্ব চমৎকার।
- কম-ভোল্টেজ (1.5 V) চিপ এখন উপলব্ধ।
CMOS লজিক গেটের অসুবিধা:
- অতিরিক্ত প্রক্রিয়াকরণ পদক্ষেপের কারণে খরচ বৃদ্ধি। কিন্তু, এটি সংশোধন করা হচ্ছে।
- NMOS এর চেয়ে কম প্যাকিং ঘনত্ব। পাস-ট্রানজিস্টর লজিক কাঠামো ব্যবহার করে, NMOS গেটের সমান বা তার চেয়ে বেশি প্যাকিং ঘনত্ব সম্ভব।
- MOS চিপগুলিকে স্ট্যাটিক চার্জ থেকে রক্ষা করতে হবে যাতে লিডগুলি শর্ট করে রাখা হয়। লিডগুলিতে অর্জিত স্ট্যাটিক চার্জ চিপটিকে নষ্ট করে দেবে। বর্তমানে এই সমস্যাটি বিল্ট-ইন প্রতিরক্ষামূলক ডিভাইস বা সার্কিট ব্যবহার করে সমাধান করা হয়েছে।
- CMOS লজিক পরিবারের প্রধান অসুবিধা হল তাদের ধীর গতিতে কাজ করা।
- CMOS পরিবারের জন্য প্রোডাকশন ডিলে টাইম প্রায় 50ns, যেখানে TTL লজিক পরিবারের জন্য এটি প্রায় 4 থেকে 12 ns।